| Leader | | | 00841nam##2200181ua#4500 |
| 001 | | | j00019265 |
| 008 | | | 610711b th # ##i #000 0#tha## |
| 100 | | | $aกมล เอี่ยมพนากิจ. |
| 245 | | | $aผลของความหนาแน่นกำลังดิสชาร์จและการอบต่อโครงสร้างผลึกของฟิล์มวานาเดียมออกไซด์ที่เตรียมเทคนิครีแอคทีแมกนีตรอนสปัตเตอริง =Effects of Discharge Power Density and Annealing On Crystal Structure of anadium Oxide Film Prepared By Reactive Magnetron Sputtering Technique /$c กมล เอี่ยมพนากิจ. |
| 650 | | | $aการอบ. |
| 650 | | | $aความหนาแน่นกำลังดิสชาร์จ. |
| 650 | | | $aโครงสร้างผลึก. |
| 650 | | | $aรีแอคทีฟแมกนีตรอนสปัตเตอริง. |
| 650 | | | $aวานาเดียมออกไซด์. |
| 700 | | | $aสายัณห์ ผุดวัฒน์. |
| 700 | | | $aมติ ห่อประทุม. |
| 700 | | | $aฉันทนา สาลวัน. |
| 773 | | | $tวารสารวิทยาศาสตร์เเละเทคโนโลยี มหาวิทยาลัยธรรมศาสตร์. $g ปีที่ 25, ฉบับที่ 4 (ก.ค./ส.ค. 2560), หน้า 545-552$x 08584435 |